RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
12.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
59
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
36
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2835
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB Porównanie pamięci RAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link