RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingston XN205T-MIE2 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
16.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
59
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3698
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KL9 4GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KL9 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link