Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Wynik ogólny
star star star star star
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB

Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB

Różnice

  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    4 left arrow 16.5
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    2,123.3 left arrow 14.2
    Średnia wartość w badaniach
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    30 left arrow 59
    Wokół strony -97% niższe opóźnienia
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    25600 left arrow 6400
    Wokół strony 4 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR2 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    59 left arrow 30
  • Prędkość odczytu, GB/s
    4,833.8 left arrow 16.5
  • Prędkość zapisu, GB/s
    2,123.3 left arrow 14.2
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    6400 left arrow 25600
Other
  • Opis
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
  • Taktowanie / szybkość zegara
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    731 left arrow 3506
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania