RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
11.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
59
Wokół strony -37% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
43
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2864
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link