RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
10.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
59
Wokół strony -20% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
2,123.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
49
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
10.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2374
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link