RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
11.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
59
Wokół strony -74% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
34
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2776
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link