RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
12.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
59
Wokół strony -111% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.3
2,123.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
12.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2382
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link