RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
12.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
59
Wokół strony -55% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
38
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2316
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link