RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
10
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
52
59
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
2,123.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
52
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2306
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Qimonda 72T256420HFD3SA 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link