RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
10.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
53
59
Wokół strony -11% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
2,123.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
53
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
10.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2333
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link