RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
10.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
54
59
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
2,123.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
54
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
10.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2226
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology F6451U66G1600G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link