RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
12.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
59
Wokół strony -28% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
46
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2660
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link