RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
11.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
59
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
37
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2780
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link