RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
11.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
59
Wokół strony -74% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
34
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2279
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G73QH0-CMA 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link