RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
59
64
Wokół strony 8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
2,123.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
64
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2103
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link