RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
16.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
59
Wokół strony -119% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3741
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link