RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
59
Wokół strony -127% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
13.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3068
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link