RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
59
Wokół strony -84% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
19.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3372
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link