RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
59
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
5.3
4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
2,123.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
45
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
5.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
1535
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Kingmax Semiconductor FLGG45F-E8K3B 8GB
Kingston 9905403-518.A00LF 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link