RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
59
Wokół strony -146% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
2,123.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2333
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link