RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
59
90
Wokół strony 34% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
2,123.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
90
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
1743
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link