RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
56
59
Wokół strony -5% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
2,123.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
56
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2235
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link