RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
59
Wokół strony -157% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
23
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3086
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston HP687515-H66-MCN 4GB
Elpida EBJ41UF8BCS0-DJ-F 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link