RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
59
Wokół strony -146% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3095
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
UMAX Technology 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link