RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs AMD R7S44G2606U1S 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
69
Wokół strony -245% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
20
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
2707
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link