RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
69
Wokół strony -92% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
36
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
3169
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
INTENSO 5641152 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link