RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
69
Wokół strony -146% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
3250
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link