RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
69
Wokół strony -176% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.3
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
25
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
4052
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link