RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
69
Wokół strony -123% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
3497
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link