RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
69
Wokół strony -214% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
22
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
3139
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 6400DT Series 2GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingmax Semiconductor FSGG45F-D8KMB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix LuoSilk-8G-1600Mhz 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link