RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
69
Wokół strony -188% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
3230
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Kingston 99U5471-001.A01LF 2GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Kingston 9965525-010.A00LF 4GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link