RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
69
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.1
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
34
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
2659
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link