RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
69
Wokół strony -214% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
22
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
3178
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link