RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
69
Wokół strony -200% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
23
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
2904
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
A-DATA Technology EXTREME DDR2 800+ 2GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link