RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
69
Wokół strony -123% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
3125
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link