RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
69
Wokół strony -176% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.8
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
25
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
16.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
4060
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-2133C11-8GXL 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link