RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
69
Wokół strony -73% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
40
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
2965
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link