RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
69
Wokół strony -123% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
3713
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link