RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
69
Wokół strony -165% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
3486
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link