RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
69
Wokół strony -245% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.3
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
20
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
19.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
4215
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link