RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
11.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
69
Wokół strony -109% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
33
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
11.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
2227
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link