RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
69
Wokół strony -200% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
23
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
3169
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link