RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
69
Wokół strony -109% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
33
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
3181
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
G Skill Intl F5-6000U4040E16G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link