RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
69
Wokół strony -77% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
39
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
2782
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Mushkin 996902 2GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link