RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
69
Wokół strony -109% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
33
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
2973
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link