RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs NSITEXE Inc Visenta 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
58
69
Wokół strony -19% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
58
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
2025
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link