RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
69
Wokół strony -200% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
23
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
3063
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link