RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
69
Wokół strony -214% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
22
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
2960
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link