RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
62
69
Wokół strony -11% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.0
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
62
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
6.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
1586
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Mushkin 994083 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
‹
›
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link