RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
69
Wokół strony -165% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.1
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
17.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
3757
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link